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Low Switching Losses Infineon Discrete IGBT Transistor Module OEM

Product Details

Model Number: SPS40G12E3S

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Low Switching Losses Infineon Discrete IGBT

,

IGBT Transistor Module OEM

,

Low Switching Losses IGBT Transistor Module

Collector Emitter Capacitance:
170 PF
Configuration:
Single
Current Collector Continuous:
50 A
Current Collector Pulsed:
200 A
Gate Charge:
80 NC
Mounting Style:
Through Hole
Operating Temperature Range:
-55 To 150 Degrees Celsius
Package Type:
TO-247
Package/Case:
TO-247-3
Reverse Recovery Time:
50 Ns
Transistor Polarity:
N-Channel
Voltage Collector Emitter Breakdown Max:
1200 V
Voltage Collector Emitter Saturation Max:
2.2 V
Voltage Gate Emitter Threshold Max:
5 V
Product Name:
Igbt Transistor Module, Sic Igbt Module, Transistors Igbt
Collector Emitter Capacitance:
170 PF
Configuration:
Single
Current Collector Continuous:
50 A
Current Collector Pulsed:
200 A
Gate Charge:
80 NC
Mounting Style:
Through Hole
Operating Temperature Range:
-55 To 150 Degrees Celsius
Package Type:
TO-247
Package/Case:
TO-247-3
Reverse Recovery Time:
50 Ns
Transistor Polarity:
N-Channel
Voltage Collector Emitter Breakdown Max:
1200 V
Voltage Collector Emitter Saturation Max:
2.2 V
Voltage Gate Emitter Threshold Max:
5 V
Product Name:
Igbt Transistor Module, Sic Igbt Module, Transistors Igbt
Low Switching Losses Infineon Discrete IGBT Transistor Module OEM

Solid Power-DS-SPS40G12E3S-S03010001 V1.0

 

1200V 40A IGBT Discrete

 

1200V 40A IGBT 

 

 

General Description  

 

   SOLIDPOWER IGBT Discrete provides low switching losses as well as high RBSOA capability. They are designed for the applications such as industrial UPS, charger, Energy storage, Three-level solar string inverter, welding etc.

 

Low Switching Losses Infineon Discrete IGBT Transistor Module OEM 0

 

 

Features:

▪ 1200V Trench Field Stop technology

 

▪ SiC SBD Freewheeling Diodes

 

▪ Low switching losses

 

▪ Low gate charge

 

 

Typical Applications:

▪ Industrial UPS

 

▪ Charger

 

▪ Energy storage

 

▪ Inverter

 

▪ Welding

 

 

Low Switching Losses Infineon Discrete IGBT Transistor Module OEM 1

Low Switching Losses Infineon Discrete IGBT Transistor Module OEM 2

IGBT                                                                                                IGBT

  Output characteristic IGBT                                                              Output characteristic IGBT

  IC=f(VCE),Tvj=25°C                                                                        IC=f(VCE) , Tvj=175°C

 

 

Low Switching Losses Infineon Discrete IGBT Transistor Module OEM 3

 

 FRD                                                                                                        IGBT

  Output characteristic FRD                                                                       Collector-emitter saturation voltage IGBT

  IF=f(VF)                                                                                                    VCE(sat)=f (Tj)

 

Low Switching Losses Infineon Discrete IGBT Transistor Module OEM 4

 

 FRD                                                                                                    IGBT

  Collector-emitter saturation voltage FRD                                            Gate-emitter threshold voltage IGBT

  VF=f (Tj)                                                                                               VGE(th) =f (Tj)

 

 

Low Switching Losses Infineon Discrete IGBT Transistor Module OEM 5

 

 FRD                                                                                                         IGBT

  Output characteristic FRD                                                                        Collector Current IGBT

  IF=f(VF)                                                                                                    IC=f(TC)

                                                                                                                    VGE≥15V,Tvj≤175°C           

 

 

 

Low Switching Losses Infineon Discrete IGBT Transistor Module OEM 6

Gate Charge Characteristics                                                                     Capacitance Characteristic

VGE(th) =f (Qg)                                                                                         VCE=25V, VGE=0V, f=1MHZ

  VGE =15V, IC=40A

                                                                        

 Low Switching Losses Infineon Discrete IGBT Transistor Module OEM 7

 

IGBT                                                                                                               IGBT

Switching Time IGBT                                                                                      Switching Time IGBT

ts=f (IC), Tvj=25°C                                                                                          ts=f (IC), Tvj=175°C

 

Low Switching Losses Infineon Discrete IGBT Transistor Module OEM 8

 

IGBT                                                                                                        IGBT

Switching Time IGBT                                                                               Switching Time IGBT

ts=f (RG), Tvj=25°C                                                                                 ts=f (RG), Tvj=175°C

  VGE=15V, VCE=600V, IC=40A                                                               VGE=15V, VCE=600V, IC=40A

 

Low Switching Losses Infineon Discrete IGBT Transistor Module OEM 9

 

IGBT                                                                                                        IGBT

Switching Time IGBT                                                                              Switching losses IGBT

ts=f (Tj)                                                                                                    E=f (Tj)

  VGE=15V, VCE=600V, RG=12Ω, IC=40A                                                VGE=15V, VCE=600V, RG=12Ω, IC=40A

 

Low Switching Losses Infineon Discrete IGBT Transistor Module OEM 10

 

IGBT                                                                                                         IGBT

Switching losses IGBT                                                                              Switching losses IGBT

E=f ( IC)                                                                                                     E=f ( IC)

  VGE=15V, VCE=600V, RG=12Ω, Tvj=25°C                                              VGE=15V, VCE=600V, RG=12Ω, Tvj=175°C

 

Low Switching Losses Infineon Discrete IGBT Transistor Module OEM 11

 

IGBT                                                                                                         IGBT

Switching losses IGBT                                                                             Switching losses IGBT

E=f (RG)                                                                                                   E=f (RG)

  VGE=15V, VCE=600V, IC=40A, Tvj=25°C                                               VGE=15V, VCE=600V, IC=40A, Tvj=175°C

 

  Low Switching Losses Infineon Discrete IGBT Transistor Module OEM 12

 

IGBT                                                                                                               IGBT

Switching losses IGBT                                                                                   Switching losses IGBT

E=f (VCE), Tvj=25°C                                                                                       E=f (VCE), Tvj=175°C

  VGE=15V, RG=12Ω, IC=40A                                                                          VGE=15V, RG=12Ω, IC=40A

 

Low Switching Losses Infineon Discrete IGBT Transistor Module OEM 13

 

                                                                                                                          IGBT

Forward Bias SOA                                                                                          Transient thermal impedance IGBT

  TC=25°C , VGE=15V, Tvj≤175°C                                                                    ZthJA=f (t)

 

 

Low Switching Losses Infineon Discrete IGBT Transistor Module OEM 14

 

This is a discrete Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) with a voltage rating of 1200V and a current rating of 40A. IGBTs are commonly used in power electronic applications for switching high voltages and currents. The specifications indicate that this particular IGBT can handle a maximum voltage of 1200V and a maximum current of 40A. In practical applications, appropriate drive circuitry and heat dissipation considerations are important for ensuring the reliability and performance of the IGBT.

 

 

Circuit diagram headline 

 

    

    Low Switching Losses Infineon Discrete IGBT Transistor Module OEM 15

 

 

 

 

Package outlines

 

 

     Low Switching Losses Infineon Discrete IGBT Transistor Module OEM 16