White IGBT Modules 62mm Electronic Component DS-SPS300B17G6R8-S04020024 V1.0

Solid Power-DS-SPS300B17G6R8-S04020024 V1.0

1700V 300A IGBT Half Bridge Module

Features:

□ 1700V Trench+ Field Stop technology

□ Freewheeling diodes with fast and soft reverse recovery

□ V_CE(sat) with positive temperature coefficient

□ Low switching losses

Typical Applications: 

□ Motor/Servo Drives

□ High Power Converters

□ UPS

□ Photovoltaic

Package 

IGBT  Maximum Rated Values 

Characteristic Values 

Diode Maximum Rated Values 

Characteristic Values

Output characteristic(typical)                                                       Output characteristic(typical)

I_C = f (V_CE)                                                                                       I_C = f (V_CE)

                                                                                                         T_vj= 150°C

                                                                                                                IGBT

Transfer characteristic(typical)                                                            Switching losses IGBT (typical)

I_C = f (V_GE)                                                                                               E = f (R_G)

V_CE = 20V                                                                                                V_GE = ±15V, I_C = 300A, V_CE = 900V                                                          

IGBT                                                                                                            RBSOA

 Switching losses IGBT (typical)                                                              Reverse bias safe operating area(RBSOA)

E = f (I_C)                                                                                                       I_C =f (V_CE)

V_GE = ±15V, R_G = 3.3Ω , V_CE = 900V                                                         V_GE = ±15V, R_Goff = 3.3Ω, T_vj = 150°C

Typical capacitance as a function of collector-emitter voltage                Gate charge (typical)

C = f (V_CE)                                                                                                       V_GE = f (Q_G)

f = 100 kHz, V_GE = 0V                                                                                      I_C = 300A, V_CE = 900V

-

IGBT

IGBT transient thermal impedance as a function of pulse width        Forward characteristic of Diode (typical)

Zth(j-c) = f (t)                                                                                              I_F = f (V_F)

Switching losses Diode(typical)                                                                Switching losses Diode(typical)

E_rec = f (R_G)                                                                                                  E_rec = f (I_F)

I_F = 300A, V_CE = 900V                                                                                  R_G = 3.3Ω, V_CE = 900V

The "1700V 300A IGBT Half Bridge Module" integrates two Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs) in a half-bridge configuration. It's designed for high-power applications, offering precise control over voltage (1700V) and current (300A). Effective cooling is crucial, and detailed specifications can be found in the manufacturer's datasheet.