OEM 1200V 100A H Bridge Mosfet Module DS-SPS100B12G3H6-S04010019

Solid Power-DS-SPS100B12G3H6-S04010019

1200V 100A IGBT Half Bridge Module

1200V 100A IGBT 

Features:

□ 1200V Trench+ Field Stop technology

□ Freewheeling diodes with fast and soft reverse recovery

□ V_CE(sat) with positive temperature coefficient

□ Low switching losses

Typical Applications: 

□ Welding

Output characteristic(typical)                                                          Output characteristic(typical)

I_C = f (V_CE)                                                                                          I_C = f (V_CE) T_vj= 150°C                                                                                

                                                                                                                   IGBT

Transfer characteristic(typical)                                                                   Switching losses IGBT (typical)

I_C = f (V_GE)                                                                                                     E = f (R_G)                                                                                  

V_CE = 20V                                                                                                       V_GE = ±15V, I_C = 30A, V_CE = 600V                                                                                                 

IGBT                                                                                                            RBSOA

 Switching losses IGBT (typical)                                                              Reverse bias safe operating area(RBSOA)

E = f (I_C)                                                                                                       I_C =f (V_CE)

V_GE = ±15V, R_G = 10Ω , V_CE = 600V                                                          V_GE = ±15V, R_goff = 10Ω, T_vj = 150°C

Typical capacitance as a function of collector-emitter voltage                 Gate charge (typical)

C = f (V_CE)                                                                                                         V_GE = f (Q_G)

f = 100 kHz, V_GE = 0V                                                                                       I_C = 100A, V_CE = 600V

IGBT

IGBT transient thermal impedance as a function of pulse width              Forward characteristic of Diode (typical)

Zth(j-c) = f (t)                                                                                                     I_F = f (V_F)

   Switching losses Diode(typical)                                                                Switching losses Diode(typical)

   E_rec = f (R_G)                                                                                                   E_rec = f (I_F)

I_F = 30A, V_CE = 600V                                                                                     R_G = 10Ω, V_CE = 600V

Diode transient thermal impedance as a function of pulse width

Zth(j-c) = f (t)