Solid Power-DS-SPS150B12G3M4-S0401G0021 V1.0.

1200V 150A IGBT Half Bridge Module

1200V 150A IGBT 

Features:

□ 1200V Trench+ Field Stop technology

□ Freewheeling diodes with fast and soft reverse recovery

□ V_CE(sat) with positive temperature coefficient

□ Low switching losses

Typical Applications: 

□ Motor/Servo Drives

□ High Power Converters

□ UPS

□ Photovoltaic

Package 

IGBT

Maximum Rated Values 

Characteristic Values 

Diode 

Maximum Rated Values 

Characteristic Values 

Output characteristic(typical)                                                              Output characteristic(typical)

I_C = f (V_CE)                                                                                               I_C = f (V_CE) T_vj= 150°C

                                                                                                                     IGBT

Transfer characteristic(typical)                                                                 Switching losses IGBT (typical)

I_C = f (V_GE)                                                                                                   E = f (R_G)

V_CE = 20V                                                                                                    V_GE = ±15V, I_C = 150A, V_CE = 600V

IGBT                                                                                                               RBSOA

Switching losses IGBT (typical)                                                                  Reverse bias safe operating area(RBSOA)

E = f (I_C)                                                                                                          I_C =f (V_CE)

V_GE = ±15V, R_G = 3.3Ω , V_CE = 600V                                                             V_GE = ±15V, R_goff = 5.1Ω, T_vj = 150°C

Typical capacitance as a function of collector-emitter voltage                  Gate charge (typical)

C = f (V_CE)                                                                                                        V_GE = f (Q_G)

f = 100 kHz, V_GE = 0V                                                                                       I_C = 150A, V_CE = 600V

IGBT                                                                                                              Forward characteristic of Diode (typical)

IGBT transient thermal impedance as a function of pulse width            I_F = f (V_F)     

   Switching losses Diode(typical)                                                                    Switching losses Diode(typical)

   E_rec = f (R_G)                                                                                                      E_rec = f (I_F)

I_F = 150A, V_CE = 600V                                                                                      R_G = 3.3Ω, V_CE = 600V

Diode transient thermal impedance as a function of pulse width

Zth(j-c) = f (t)

The "1200V 150A IGBT Half Bridge Module" integrates two IGBTs in a half-bridge configuration. It's suitable for applications requiring moderate to high power, offering precise control over voltage (1200V) and current (150A). Effective cooling is essential for reliable operation, and detailed specifications can be found in the manufacturer's datasheet.